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技術(shù)方案
高壓絕緣電阻測(cè)試儀使用篇--如何進(jìn)行:步進(jìn)測(cè)試(STEP)、斜坡測(cè)試(RAMP)、介質(zhì)放電指數(shù)測(cè)試(DD)

發(fā)布日期: 2025-06-03 15:41:51

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        通常的高壓絕緣電阻測(cè)試儀只能測(cè)量絕緣電阻測(cè)試(IR);極化指數(shù)測(cè)試(PI);吸收比測(cè)試(DAR)。ETCR3520系列高壓絕緣電阻測(cè)試儀除此以外,還能測(cè)量步進(jìn)測(cè)試(STEP);斜坡測(cè)試(RAMP);介質(zhì)放電指數(shù)測(cè)試(DD),以滿足用戶全面測(cè)量試件絕緣性能的要求。

 

        1.步進(jìn)測(cè)試(STEP);

        步進(jìn)測(cè)試模式也是一個(gè)自動(dòng)化的測(cè)試過(guò)程。測(cè)試開始后,輸出電壓按選定檔位電壓的10%逐步升高,儀器記錄每步的絕緣阻值。絕緣體有缺陷時(shí),隨施加電壓的升高會(huì)出現(xiàn)電阻值下降的現(xiàn)象。絕緣體無(wú)缺陷時(shí),在升壓過(guò)程中絕緣電阻基本保持不變。

2025.5.29-1.png

        2.斜坡測(cè)試(RAMP);

        斜坡測(cè)試模式是一個(gè)自動(dòng)化的測(cè)試過(guò)程。測(cè)試開始后輸出電壓逐漸升高至所選檔位電壓,儀器記錄升壓過(guò)程中每一秒的絕緣阻值。絕緣體有缺陷時(shí),隨施加電壓的上升和時(shí)間的增加,會(huì)出現(xiàn)電阻值下降的現(xiàn)象;絕緣體無(wú)缺陷時(shí),在升壓過(guò)程中絕緣電阻基本保持不變。

2025.5.29-2.png

        3.介質(zhì)放電指數(shù)測(cè)試(DD);

        此試驗(yàn)適用于多層絕緣的診斷。是通過(guò)測(cè)定測(cè)試完成1分鐘后的放電電流值及被測(cè)物的電容值來(lái)判斷多層絕緣物體中的不良情況的好方法。一般建議500V電壓充電30分鐘,測(cè)量其電容及1分鐘后的殘余電流。在設(shè)置測(cè)量模式時(shí),可自選DD計(jì)算公式。

2025.5.29-3.png

DD值判定標(biāo)準(zhǔn)

<2.0良好

2.0~4.0要注意

4.0~7.0不良

>7.0較差


        銥電測(cè)控專注于高壓絕緣電阻測(cè)試儀的研發(fā)生產(chǎn),是ETCR3500,ETCR3520,5KV高壓絕緣電阻測(cè)試儀,ETCR3500B,ETCR3520B,10kV高壓絕緣電阻測(cè)試儀,ETCR3520C,15kV高壓絕緣電阻測(cè)試儀,ETCR3580絕緣電阻在線測(cè)試儀的生產(chǎn)廠家,銥電測(cè)控服務(wù)熱線:400-068-0006,了解更多請(qǐng)?jiān)L問(wèn)銥電測(cè)控官網(wǎng):www.tdicctv.com

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